Samsung Elektroniikka esitteli alan tilavimman 12 nm DDR5 DRAM 32 Gt -muistipiirin, jotka sen mukaan sopivat ihanteellisesti tekoälyn aikakauteen. Ennen sitä yritys pystyi valmistamaan 32 Gbit:n siruja vain TSV-kiinnitetyillä 16 Gbit:n kiteillä päällekkäin. "Yksiosaisten" 32 Gt:n DDR5-sirujen julkaisu samassa paketissa 16 Gt:n sirujen kanssa vähentää kulutusta ja avaa tien lupaaville 1 TB:n muistimoduuleille.
Arvioiden mukaan Samsung, DDR5-sirut, joissa on kaksinkertainen kapasiteetti, tarjoavat 10 % pienemmän kulutuksen 128 Gt:n DDR5-moduuleista. On mielenkiintoista, että yritys ilmoitti aloittavansa 12 nm:n 16 Gbit DDR5 DRAM -muistin tuotannon aivan äskettäin - tämän vuoden toukokuussa. Nykyinen ilmoitus ei tarkoita välitöntä 32 Gbitin sirujen massatuotannon käynnistämistä. Yhtiö lupaa aloittaa tuotannon vasta tämän vuoden lopussa. Sarjatoimitettujen sirujen kapasiteetin lisääminen 32 Gbit:iin mahdollistaa muistinvalmistajien siirtymisen 5 Gt:n massa-DDR64-moduulien ja jopa 1 TB:n palvelinmallien julkaisuun.
"Luomalla 12 nm:n 32 Gb-luokan DRAM-muistia olemme tarjonneet ratkaisun, joka mahdollistaa jopa 1 Tt:n DRAM-moduuleiden tuotannon, mikä antaa meille täydellisen mahdollisuuden vastata suuren kapasiteetin DRAM-muistin kasvavaan kysyntään tekoälyn ja suurten tiedot", Sun sanoi. Jun Hwang, yhtiön DRAM-tuote- ja teknologiadivisioonan varatoimitusjohtaja Samsung Elektroniikka. "Jatkamme erilaistettuihin valmistusprosesseihin ja suunnitteluteknologioihin perustuvien DRAM-ratkaisujen kehittämistä muistitekniikan rajojen työntämiseksi."
Tällä hetkellä muistivalmistajat, kuten SK hynix ja Micron, tarjoavat vain 24 Gt:n DDR5-siruja, mikä mahdollistaa jopa 96 Gt:n massamoduulit, mutta Samsung lisää kapasiteettia ja tarjoaa kolmannen tiheämmän ratkaisun. Micron on kuitenkin myös vahvistanut työskentelyn 5 Gb DDR32-sirujen parissa etenemissuunnitelmassaan, vaikka niitä ei ole vielä julkistettu.
Hänen tarinansa vuoksi Samsung laajensi RAM-muistin rajoja 500 64 kertaa. Yritys esitteli ensimmäisen (1983 kbit) muistinsa vuonna 40. Viimeisten XNUMX vuoden aikana se on lisännyt mikropiirien kapasiteettia uskomattoman monta kertaa, mitä tuolloin harvat osasivat edes ajatella.
Lue myös:
- SK hynix on kehittänyt maailman nopeimman muistin – HBM3E:n nopeudella 1,15 TB/s
- Huawei rakentaa salaista sirutehtaiden verkostoa pakotteiden alaisena