SK hynix ilmoitti kehittäneensä HBM3E-muistin, seuraavan sukupolven nopean hajasaantimuistin (DRAM) tehokkaaseen laskentaan ja erityisesti tekoälyn alaan. Tämä muisti on yrityksen mukaan maailman tuottavin, ja SK hynixin asiakkaat tarkastavat ja testaavat sitä parhaillaan.
HBM (High Bandwidth Memory) on nopea muisti, joka on pino pystysuunnassa kytkettyjä useita DRAM-siruja, mikä lisää merkittävästi tietojenkäsittelyn nopeutta verrattuna perinteisiin DRAM-siruihin. HBM3E on parannettu versio viidennen sukupolven HBM3-muistista, joka korvasi aiemmat sukupolvet: HBM, HBM2, HBM2E ja HBM3.
SK hynix korostaa, että HBM3E:n menestyksekäs kehittäminen mahdollisti yrityksen kokemuksen ainoana HBM3:n massatuottajana. HBM3E:n massatuotannon on määrä alkaa ensi vuoden ensimmäisellä puoliskolla, mikä vahvistaa yhtiön johtavaa asemaa tekoälymuistimarkkinoilla.
SK hynixin mukaan uusi tuote ei ainoastaan täytä alan korkeimpia nopeusstandardeja, jotka ovat keskeinen muistiparametri tekoälytehtävissä, vaan myös muissa luokissa, mukaan lukien kapasiteetti, lämmönpoisto ja käytettävyys. HBM3E pystyy käsittelemään tietoja jopa 1,15 TB/s nopeudella, mikä vastaa yli 230 täyspitkän Full HD -elokuvan siirtoa 5 Gt sekunnissa.
Lisäksi HBM3E:ssä on 10 % parempi lämmönpoisto edistyneen teknologian Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF2) käytön ansiosta. Uusi muisti tarjoaa myös taaksepäin yhteensopivuuden, minkä ansiosta voit käyttää sitä olemassa olevissa HBM3:n alla luoduissa kiihdyttimissä.
”Olemme työskennelleet SK hynixin kanssa pitkään korkean kaistanleveyden muistin alalla edistyneille kiihdytetyille laskentaratkaisuille. Odotamme innolla yhteistyötämme HBM3E:n kanssa rakentaaksemme uuden sukupolven tekoälylaskentaa", sanoi Ian Buck, Hyperscale- ja High Performance Computing -yksikön varatoimitusjohtaja. NVIDIA.
SK hynixin DRAM-tuotesuunnittelusta vastaava Sungsoo Ryu korosti, että yritys on vahvistanut markkina-asemaansa lisäämällä HBM-tuotelinjaa, joka on valokeilassa tekoälyteknologian kehityksen valossa.
Lue myös: