Sitä odotetaan Samsung ilmoittaa aloittavansa 3 nm:n sirujen massatuotannon ensi viikolla, raportoi Yonhap News. Tämä asettaa yrityksen TSMC:n edelle, jonka odotetaan aloittavan 3 nm:n sirujen tuotannon tämän vuoden toisella puoliskolla.
Verrattuna 5 nm:n prosessiin (jota käytettiin Snapdragon 888:ssa ja Exynos 2100:ssa) Samsungin 3 nm:n solmu pienentää aluetta 35 %, lisää suorituskykyä 30 % ja vähentää virrankulutusta 50 %.
Tämä saavutetaan vaihtamalla Gate-All-Around (GAA) -transistorisuunnitteluun. Se on seuraava askel FinFETin jälkeen, koska se mahdollistaa transistorien koon pienentämisen vaarantamatta niiden kykyä johtaa virtaa. 3nm solmussa käytetty GAAFET-malli on esitetty alla olevassa kuvassa.
Yhdysvaltain presidentti Joe Biden vieraili tehtaalla viime kuussa Samsung Pyeongtaekissa osallistumaan 3nm-tekniikan esittelyyn Samsung. Viime vuonna huhuttiin, että yritys saattaa investoida 10 miljardia dollaria 3nm:n valimon rakentamiseen Teksasissa. Nämä investoinnit ovat kasvaneet 17 miljardiin dollariin, ja tehtaan odotetaan aloittavan toimintansa vuonna 2024.
Joka tapauksessa suurin huolenaihe uutta solmua luotaessa on lähtö. Viime vuoden lokakuussa Samsung totesi, että 3 nm:n prosessin suorituskyky on "lähestelemässä samaa tasoa kuin 4 nm:n prosessi". Vaikka yhtiö ei ole esittänyt virallisia lukuja, analyytikot uskovat, että 4 nm solmu Samsung liittyi tuotantoongelmiin.
Toisen sukupolven 3nm solmun odotetaan valmistuvan vuonna 2023, ja yhtiön tiekarttaan sisältyy myös 2nm MBCFET-pohjainen solmu vuonna 2025.
Voit auttaa Ukrainaa taistelemaan venäläisiä hyökkääjiä vastaan. Paras tapa tehdä tämä on lahjoittaa varoja Ukrainan asevoimille Pelasta elämä tai virallisen sivun kautta NBU.
Lue myös:
- Arvostelu Samsung Galaxy S21 FE 5G: nyt ehdottomasti fanien lippulaiva
- Arvostelu Samsung Galaxy Tab S7 FE: Yllättävän älykäs kompromissi