Japanilainen mikropiirien valmistaja Kioksia kehitetty flash-muisti NAND noin 170 kerroksella ja liittyi amerikkalaisen vastineen Micron Technologyn ja eteläkorealaisen SK Hynixin kanssa kehittyneiden teknologioiden kehittämiseen.
Uusi NAND-muisti kehitettiin yhdessä amerikkalaisen kumppanin kanssa Western Digital ja voi tallentaa tietoja kaksi kertaa nopeammin kuin Kioxian nykyinen huipputuote, joka koostuu 112 kerroksesta.
Aiemmin nimellä Toshiba Memory tunnettu Kioxia aikoo esitellä uuden NAND:nsa International Solid State Conference -konferenssissa, joka on puolijohdeteollisuuden vuotuinen globaali foorumi, ja aikoo aloittaa massatuotannon jo ensi vuonna.
Se toivoo täyttävänsä datakeskusten ja älypuhelimien kysyntään, sillä viidennen sukupolven langattomien teknologioiden leviäminen lisää tiedonsiirtomääriä ja -nopeuksia. Mutta kilpailu tällä alalla on jo kiristymässä: Micron ja SK Hynix julkistavat uusia tuotteitaan.
Kioxia on myös onnistunut sovittamaan enemmän muistisoluja kerrosta kohden uudella NAND-laitteellaan, mikä tarkoittaa, että se voi tehdä siruista 30 % pienempiä kuin muut samalla muistimäärällä. Pienemmät mikropiirit mahdollistavat suuremman joustavuuden älypuhelimien, palvelimien ja muiden tuotteiden luomisessa.
Flash-muistin tuotannon lisäämiseksi Kioxia ja Western Digital suunnittelevat aloittavansa tänä keväänä 9,45 miljardin dollarin tehtaan rakentamisen Yokkaidoon, Japaniin. Niiden tavoitteena on ottaa ensimmäiset linjat käyttöön jo vuonna 2022.
Lue myös: