Samsung ilmoitti aloittavansa 16 gigabitin DDR5 DRAM -muistin massatuotannon, jossa käytetään alan edistyneintä 12 nanometrin luokan teknologista prosessia. Nykyaikaisimman tuotantoprosessin valmistuminen vahvistaa jälleen kerran yrityksen johtajuutta Samsung kehittyneiden DRAM-tekniikoiden alalla.
Edelliseen sukupolveen verrattuna uusi RAM Samsung 5 nm luokan DDR12 DRAM vähentää virrankulutusta 23 % ja lisää kiekon suorituskykyä 20 %. Erinomainen energiatehokkuus tekee siitä ihanteellisen ratkaisun maailmanlaajuisille IT-yrityksille, jotka haluavat vähentää palvelimiensa ja datakeskustensa energiankulutusta ja hiilijalanjälkeä.
kehitystä Samsung 12 nm:n prosessiteknologian mahdollistaa uuden, korkean johtavuuden omaavan materiaalin käyttö, joka auttaa lisäämään kennojen kapasiteettia. Suuri kapasitanssi johtaa merkittävään eroon datasignaalien sähköisissä potentiaaleissa, mikä helpottaa niiden tarkkaa erottamista. Yrityksen ponnistelut käyttöjännitteen ja melun vähentämiseksi auttoivat myös luomaan asiakkaiden tarvitseman optimaalisen ratkaisun.
Samsungin 7,2 nm:n DDR30 DRAM -linjan enimmäisnopeus on 5 gigabittiä sekunnissa, mikä tarkoittaa, että kaksi 12 Gt:n UHD-elokuvaa voidaan käsitellä noin sekunnissa, ja se tukee kasvavaa luetteloa sovelluksista, mukaan lukien datakeskukset, tekoäly ja seuraavan sukupolven tietojenkäsittely.
Viime joulukuussa Samsung sai päätökseen 16 gigabitin DDR5 DRAM -muistin yhteensopivuuden testaamisen AMD:n kanssa ja jatkaa yhteistyötä maailmanlaajuisten IT-yritysten kanssa edistääkseen innovaatioita seuraavan sukupolven DRAM-markkinoilla.
Lue myös:
Jätä vastaus